Характеристики

• Производитель
  Samsung
• Производитель
  Samsung
• Модель
  M471A2G43CB2-CWE
• Количество модулей в комплекте шт
  1
• Общий объем памяти ГБ
  16
• Тип модуля
  SO-DIMM
• Частота MHz
  DDR4 - 3200
• Пропускная способность МБ/с
  25600
• Количество контактов
  260
• Охлаждение
  -
• Напряжение В
  1.2
• Потребление энергии
  -
• Тайминги
  -
• Дополнительная информация
  -
• Чип
  -
• Габариты мм
  -
• Вес грамм
  -
• Основные характеристики
  -
• Дополнительные характеристики
  -
• Объем одного модуля ГБ
  16
• CAS Latency CL
  -
• Цвет
  -
• Количество чипов на модуле
  -
• RAS to CAS Delay tRCD
  -
• Row Precharge Delay tRP
  -
• Activate to Precharge Delay tRAS
  -
• Нормальная операционная температура Tcase
  -
• Расширенная операционная температура Tcase
  -
• Компоновка чипов на модуле
  -
• Линейка
  -
• Основные характеристики
  -
• Производитель
  Samsung
• Линейка
  -
• Модель
  M471A2G43CB2-CWE
• Частота MHz
  DDR4 - 3200
• Тип модуля
  SO-DIMM
• Объем одного модуля ГБ
  16
• Количество модулей в комплекте шт
  1
• Общий объем памяти ГБ
  16
• Пропускная способность МБ/с
  25600
• Количество контактов
  260
• Тайминги
  -
• CAS Latency CL
  -
• RAS to CAS Delay tRCD
  -
• Row Precharge Delay tRP
  -
• Activate to Precharge Delay tRAS
  -
• Охлаждение
  -
• Дополнительные характеристики
  -
• Цвет
  -
• Напряжение В
  1.2
• Количество чипов на модуле
  -
• Нормальная операционная температура Tcase
  -
• Расширенная операционная температура Tcase
  -
• Чип
  -
• Потребление энергии
  -
• Габариты мм
  -
• Высота мм
  -
• Вес грамм
  -
• Дополнительная информация
  -
• Компоновка чипов на модуле
  -
• Высота мм
  -
• Тип оборудования
  Оперативная память
• Тип оборудования
  Оперативная память
• http://semiconductor.samsung.com
• http://semiconductor.samsung.com
• http://semiconductor.samsung.com