2GB AMD Radeon™ DDR3 1333 SO DIMM R332G1339S1S-UO Bulk (180336)
Нет в наличииОписание
Серия продукции: Radeon R3 Value
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 2
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 2
Эффективная частота, МГц: 1333
Пропускная способность, Мб/с: 10600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 204
CAS Latency (CL): 9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Row Precharge Delay (tRP): 9
Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
Напряжение питания, В: 1.5
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 67.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 2
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 2
Эффективная частота, МГц: 1333
Пропускная способность, Мб/с: 10600
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 8
Количество контактов: 204
CAS Latency (CL): 9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Row Precharge Delay (tRP): 9
Activate to Precharge Delay (tRAS): 24
Напряжение питания, В: 1.5
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 67.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Характеристики
-
ПроизводительAMD
-
Серия продукцииRadeon R3 Value
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторSODIMM
-
Стандарт памятиDDR3
-
Объем одного модуля2
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем2
-
Эффективная частота1333
-
Пропускная способность10600
-
Поддержка ECCНет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле8
-
Количество контактов204
-
CAS Latency (CL)9
-
RAS to CAS Delay (tRCD)9
-
Row Precharge Delay (tRP)9
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
-
Напряжение питания1.5
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина67.6
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
