4GB DDR-III DIMM for EonStor DS, EonNAS and ESVA subsystem
Нет в наличииОписание
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 4
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 4
Эффективная частота, МГц: 1600
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 9
Количество контактов: 240
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Activate to Precharge Delay (tRAS): 27
Напряжение питания, В: 1.5
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR3
Объем одного модуля, ГБ: 4
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 4
Эффективная частота, МГц: 1600
Пропускная способность, Мб/с: 12800
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 9
Количество контактов: 240
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
Activate to Precharge Delay (tRAS): 27
Напряжение питания, В: 1.5
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Характеристики
-
ПроизводительINFORTREND
-
Тип памятиUnbuffered
-
Форм-факторDIMM
-
Стандарт памятиDDR3
-
Объем одного модуля4
-
Количество модулей в комплекте1
-
Суммарный объем4
-
Эффективная частота1600
-
Пропускная способность12800
-
Поддержка ECCДа
-
НизкопрофильнаяНет
-
Количество чипов на модуле9
-
Количество контактов240
-
CAS Latency (CL)11
-
RAS to CAS Delay (tRCD)11
-
Row Precharge Delay (tRP)11
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)27
-
Напряжение питания1.5
-
Нормальная операционная температура85
-
Расширенная операционная температура95
-
Ширина133.35
-
Высота30
-
Вид поставкиOEM
