Описание
- Объем: 8 ГБ;
- Частота: 5600 МГц;
- Латентность: CL40;
- Тайминги: 40-40-40;
- Форм-фактор: DIMM, 288-pin;
- Тип поставки: OEM;
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Основные характеристики-
-
ПроизводительSamsung
-
Линейка-
-
МодельM323R1GB4DB0-CWM
-
Частота MHzDDR4 - 4800
-
Тип модуляDIMM
-
Объем одного модуля ГБ8
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Пропускная способность МБ/с38400
-
Количество контактов288
-
Тайминги-
-
CAS Latency CL40
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Охлаждение-
-
Поддержка водяного охлаждения-
-
Дополнительные характеристики-
-
Цвет-
-
Напряжение В1.1
-
Количество чипов на модуле-
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Чип-
-
Потребление энергии-
-
Габариты мм-
-
Высота мм-
-
Вес грамм-
-
Дополнительная информация-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Тип оборудованияОперативная память
-
http://semiconductor.samsung.com
