Память оперативная samsung M425R2GA3BB0-CWM
Нет в наличии
Описание
- Тип памяти:DDR5
- Форм-фактор:SODIMM 262-контактный
- Тактовая частота:5600 МГц
- Пропускная способность:44800 Мб/с
- Латентность:CL46
- Тайминги:46-45-45
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM425R2GA3BB0-CWM
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ16
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR5 - 5600
-
Пропускная способность МБ/с44800
-
Количество контактов262
-
Охлаждение-
-
Напряжение В-
-
Потребление энергии-
-
Тайминги40
-
Дополнительная информация-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ16
-
CAS Latency CL40
-
Цветзеленый
-
Количество чипов на модуле-
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Линейка-
-
Высота мм-
-
Тип оборудованияОперативная память
-
http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.