Описание
- Объем: 16384 МБ;
- Латентность: CL40;
- Форм-фактор: SO-DIMM, 288-pin;
- Тип поставки: OEM;
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительQumo
-
МодельM425R2GA3BB0-CQK
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ16
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR4 - 4800
-
Пропускная способность МБ/с38400
-
Количество контактов260
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.1
-
Потребление энергии6 Вт
-
Тайминги-
-
Дополнительная информация-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ16
-
CAS Latency CL40
-
Цветзеленый
-
Количество чипов на модуле-
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Нормальная операционная температура Tcase75 С
-
Расширенная операционная температура Tcase85 С
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Линейка-
-
Высота мм-
-
Тип оборудованияОперативная память
-
SSD накопитель M425R2GA3BB0-CQK от компании Samsung.
-
SSD накопитель M425R2GA3BB0-CQK от компании Samsung.
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.