Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM425R1GB4BB0-CWM
-
Количество модулей в комплекте шт1
-
Общий объем памяти ГБ8
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Частота MHzDDR5 - 5600
-
Пропускная способность МБ/с44800
-
Количество контактов262
-
Охлаждение-
-
Напряжение В1.1
-
Потребление энергии-
-
Тайминги-
-
Дополнительная информация-
-
Чип-
-
Габариты мм-
-
Вес грамм-
-
Основные характеристики-
-
Дополнительные характеристики-
-
Объем одного модуля ГБ8
-
CAS Latency CL-
-
Поддержка водяного охлаждения-
-
Цвет-
-
Количество чипов на модуле-
-
RAS to CAS Delay tRCD-
-
Row Precharge Delay tRP-
-
Activate to Precharge Delay tRAS-
-
Нормальная операционная температура Tcase-
-
Расширенная операционная температура Tcase-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
Линейка-
-
Высота мм-
-
Тип оборудованияОперативная память
-
http://www.samsung.com/
-
http://www.samsung.com/
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.