Описание
- Тип поставки:один модуль 1x8Гб
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 Мб/с
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная:нет
- Латентность:CL22
- Тайминги:22-22-22
- Подсветка:нет
- Объем одного модуля:8 Гб
- Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
- Общий объем памяти:8 Гб
- Напряжение питания:1.2 В
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
