Описание
| Производитель | Samsung |
| Код производителя | MZ-V8P2T0BW |
| Назначение | внутренний |
| Тип | SSD |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI-E 4.0 x4 |
| Объём накопителя | 2000 Гб |
| Тип флэш-памяти | TLC |
| Скорость чтения | 7000 Мб/сек |
| Скорость записи | 5000 Мб/сек |
| Дополнительно | |
| Ресурс перезаписи (TBW) | 1200 ТБ |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Характеристики
-
ПроизводительSamsung
-
Основные характеристики-
-
ПроизводительSamsung
-
МодельMZ-V8P2T0BW
-
Объем Гб2000
-
Тип оборудованияSSD накопитель
-
Интерфейс, разъемы и выходы-
-
Интерфейс SSDPCI-Express
-
Совместимость-
-
Формат накопителяM.2
-
Параметры производительности-
-
Скорость чтения Мб/с7000
-
Скорость записи Мб/с5100
-
Серия980
-
Комплект поставки и опции-
-
Конфигурация-
-
Тип чипов3D TLC NAND
-
Контроллер-
-
Питание-
-
Потребительские свойства-
-
Прочие характеристики-
-
MTBF1.5 млн. ч
-
Логистика-
-
Внешние источники информации-
-
Поддержка TRIMЕсть
-
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=321000000 IOPS
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕНе подходит для сервера!
-
Ресурс SSD1200 ТБ
-
Background Garbage CollectionНет
-
ПО в комплектеНет
-
Комплект поставкиSSD
-
Потребление энергии Вт-
-
Отличительная особенностьNVMe
-
Максимальные перегрузки1500 G
-
Размеры ширина x высота x глубина-
-
Вес грамм-
-
Рабочая температура-
-
Размеры упаковки-
-
Вес брутто грамм-
-
Пропускная способность интерфейса Гбит/с-
-
Для веб-сервера или файлового сервераНет
-
Для сервера баз данныхНет
-
Техпроцесс-
-
Дополнительная информация-
-
Горячая линия производителя-
-
Тип интерфейса NAND Flash памяти-
-
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2-
-
Протокол NVMe-
-
Форм-фактор M.2-
-
http://www.samsung.com/
-
http://www.samsung.com/
