Характеристики

• Производитель
  Samsung
• Форм-фактор
  M.2 22110
• Интерфейс
  PCIe 3.0 x4 (NVMe)
• Ёмкость накопителя
  1920
• Тип памяти
  3D TLC
• TBW твердотельного накопителя
  2733
• Скорость последовательного чтения
  3000
• Скорость последовательной записи
  1400
• Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)
  480000
• Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)
  42000
• Средняя наработка на отказ
  2000000